RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
38
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
38
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2841
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link