RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
27
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3288
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link