RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3680
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link