RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
35
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
25
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3187
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link