RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3609
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link