RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2967
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link