RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
35
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
17
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3550
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link