RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
35
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3878
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link