RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3519
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link