RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
35
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.2
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
19
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3075
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link