RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
35
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
20
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3217
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link