RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
35
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3098
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link