RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
27
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3827
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 9905417-061.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link