RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
27
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3701
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link