RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
72
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
14.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
72
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
1631
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link