RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
14.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
27
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2356
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link