RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
36
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3458
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link