RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
35
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3785
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link