RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
39
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
8.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
6.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
39
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
8.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
6.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
1842
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link