RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
94
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
5.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
4.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
94
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
5.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
4.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
1334
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Transcend Information TS256MLK64V3N 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link