RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
94
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
5.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
4.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
94
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
5.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
4.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
1334
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link