RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
74
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
14.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
74
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
1925
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link