RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
52
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
52
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2236
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link