RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
35
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
34
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2620
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link