RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3098
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link