RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
35
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
23
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2619
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link