RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
39
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
21
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1770
2276
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB Porównanie pamięci RAM
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link