RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
39
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1770
2619
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Crucial Technology CT51264BA160BJ.8F1 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.M8F 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link