RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
39
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3058
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link