RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
40
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
40
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3015
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link