RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3525
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link