RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
41
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
41
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2870
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link