RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
39
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2962
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link