RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
39
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2290
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link