RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
39
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2261
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 99P5471-048.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Ramaxel Technology RMR5030KQ68F9F1600 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link