RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
39
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2867
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link