RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
39
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
4022
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link