RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
39
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3531
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link