RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
39
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
24
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
4152
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Swissbit MEN02G64D2BE2MT-25 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link