RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
39
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.1
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.6
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
17
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3829
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link