RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
39
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3546
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link