RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
40
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
40
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2362
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link