RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
39
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3033
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link