RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
39
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3498
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link