RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
39
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
27
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3152
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link