RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
48
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
48
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2220
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link