RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
42
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
42
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2701
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link