RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
39
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2821
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link