RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
39
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
3191
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link