RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
48
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
48
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2568
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link