RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
39
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2830
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link